Influence de la technique de dépôt d'isolant et des modes de décapage du semiconducteur sur les propriétés électriques de structures métal-Al 2O3-InP

B. Sautreuil, B. Bailly, R. Blanchet, M. Garrigues, P. Viktorovitch
1983 Revue de Physique Appliquée  
doi:10.1051/rphysap:019830018012076900 fatcat:agdmnyjq4vg7hdpj6odln45oyy