Проведено сопоставление различных термографических методов контроля тепловых полей полупроводниковых приборов и указана соответствующая аппаратура, используемая для этой цели. Отмечено, что важнейшим параметром аппаратуры является разрешающая способность контроля по температуре и по размерам контролируемых тепловых полей. Приведены схема разработанной аппаратуры и примеры контроля тепловых полей GaN СВЧ гетеротранзисторов. Отмечено, что из-за высокой прозрачности таких материалов, как GaN и

more »

... в широкой области ИК-спектра возникают трудности при попытке определения температуры в канале между истоком и стоком GaN гетеротранзисторов.