領域9「半導体表面の基底状態超構造と外場応答 : Si(001)とGe(001)を例に」(2003年秋季大会シンポジウム(物性分科会)の報告)

虻川 国司
Nihon Butsuri Gakkaishi  
doi:10.11316/butsuri1946.59.2.112_1 fatcat:o47jbq2wyjdldmw7ygkaxouuf4