PRECIPITATION OF COPPER IN SILICON BICRYSTALS

R. ABDELAOUI, G. ALLAIS, G. NOUET
1990 Le Journal de Physique Colloques  
Resume : La precipitation du cuivre a ete etudiee par microscopic electronique par transmission dans un bicristal X25 de silicium. Apres un recuit a haute temperature suivi par un refroidissement rapide, des precipites apparaissent dans le plan du joint. Les reflexions supplementaires peuvent dtre indexees dans le reseau de la phase CuSi ?IOU dans un sous-reseau de la phase p . Deux relations drorientation sont observees . Abstract Investigation of copper precipitates has been carried out in a
more » ... n carried out in a Z25 silicon bicrystal by transmission electron microscopy. Orientated precipitation occurs after high temperature annealing and fast cooling. Extra spots can be indexed using the lattice of ?*-CuSi phase, lattice related to this of the p phase. Two orientation relationships are found.
doi:10.1051/jphyscol:1990164 fatcat:d3ium2y3ojagxl2lx7l5kwa2ni