2014 Au moyen d'une expérience de cathodoluminescence pulsée, nous avons étudié les recombinaisons radiatives dans des couches épitaxiées (Ga, Al) As fortement dopé ; le dopant est Si ou Ge. Dans des couches homogènes dopées au silicium nous avons obtenu les conditions de fort rendement lumineux et de longue durée de vie observées dans les diodes électroluminescentes réalisées par double épitaxie en phase liquide de (Ga, Al)As sur substrat GaAs. Les phénomènes sont bien expliqués en considérant

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... l'effet des fluctuations des impuretés chargées dans les semiconducteurs fortement compensés sur les queues de densité d'états en bords de bande interdite. Abstract. 2014 Using a time-resolved cathodoluminescence technique, we have investigated the radiative recombination in highly doped (Ga, Al)As epitaxial layers (the dopant was Si or Ge). We have realized in homogeneous Si-doped epitaxial (Ga, Al)As layers the conditions of large luminescence efficiency and great decay time usually observed in L.E.D. obtained by double liquid phase epitaxy of (Ga, Al)As on GaAs substrate. The phenomena are well explained if we consider the effect of charge impurity fluctuations in compensated semiconductors on the density of state tails at the edges of the band-gap. Revue Phys. Appl. 15 (1980) 861-864 AVRIL 1980,