A copy of this work was available on the public web and has been preserved in the Wayback Machine. The capture dates from 2020; you can also visit the original URL.
The file type is application/pdf
.
A quasi-cavity enhanced Light Emitting Diode
2020
Journal of the Institute of Science and Technology
ÖZET: Bu çalışmada alt Bragg yansıtıcısına sahip yakın kızılötesi bölgede ışıma yapan p-i-n diyotun tasarımı, fabrikasyon detayları ve elektro-optik özellikleri incelenmektedir. İncelenen ışık yayan aygıtın aktif ışıma bölgesi 20 adet GaInNAs/GaNAs (7 nm /13 nm) kuantum kuyusu sisteminden oluşmaktadır. Alt dielektrik aynası ise 15 adet GaAs/AlAs Bragg yansıtıcı çiftlerinin üst üste tabakasal olarak büyütülmesinden oluşmaktır. Aygıtın ışıma merkez dalgaboyu 1310 nm olup, spektral yarı genişliği
doi:10.21597/jist.746002
fatcat:dsx5g2pcpffv5mm45z2n3feiqe