IMPROVING RELIABILITY USING DESIGN CENTERING

W. HEIMSCH, R. KREBS, K. ZIEMANN, D. MOEBUS
1988 Le Journal de Physique Colloques  
Ici sont analysées les performances d'une porte NOR en technologie BiCMOS. Afin de réduire l'influence de la dispersion des paramétres de fabrication sur les fluctuations des différents courants internes, un logiciel d'aide é la conception (Design Centering Program) optimise la largeur des transistors MOS. Ceci permet, pour une fluctuation de 5% du courant de chaque transistor MOS, d'améliorer les performances (temps de propagation) du circuit d'environ 37%. ABSTRACT In this work the
more » ... of a BiCMOS NOR Gate is investigated. A design centering program is used to dimension the width of the MOS transistors in order to make the circuit utmost insensible to current efficiency fluctuations caused by process parameter deviations. Therewith the reliability could be increased by 37% while the current efficiency of the single MOS transistors fluctuates within its 5% value.
doi:10.1051/jphyscol:1988459 fatcat:65zqo3jturayhmqad6kisrvwtq