Методом химического молекулярно-пучкового осаждения (ХМПО) получены пленки Sb2Se3 из отдельных источников бинарного соединения Sb2Se3 и элемента Se при температуре подложки 500°С. На рентгенограммах наблюдаются основные сильные пики (221), (211) и вторичные слабые пики (020), (120) и (310), которые заметно изменяются при изменении температуры Se. При температуре источника селена 430°С на поверхности пленок Sb2Se3 можно наблюдать крупные зерна размером более 4 мкм, кроме того, появляются

more »

... бразные зерна Sb2Se3 . Получено, что пленки Sb2Se3 Se-дефицитны при температуре источника селена 350°C, при дальнейшем увеличении температуры приближаются к стехиометрическому составу. Показано, что близкие к стехиометрическому составу пленки Sb2Se3 с отношением Sb/Se 0.68 получаются при температуре источника селена 430°С. Удельные электропроводности пленок Sb2Se3 колеблются впределах σ=9×10−5 −6×10−4 (Ом·см)−1 в зависимости от технологического режима.