Influence of hydrogen on minority carrier recombination at dislocations and sub-boundaries in GaAs

A. Djemel, J. Castaing, J. Chevallier
1988 Revue de Physique Appliquée  
2014 Nous avons étudié par cathodoluminescence l'influence de l'hydrogène sur la recombinaison des porteurs minoritaires aux dislocations et aux sous-joints de grains dans GaAs. Ces défauts étendus ont été introduits par déformation plastique à chaud. Le caractère recombinant de ces défauts n'est pas qualitativement changé par l'hydrogène. Abstract. 2014 We have investigated by cathodoluminescence the influence of atomic hydrogen on the minority carrier recombination at dislocations and
more » ... daries in GaAs. These extended defects have been introduced by plastic deformation at high temperature. The recombining character of these defects is not qualitatively changed by hydrogen.
doi:10.1051/rphysap:019880023070133700 fatcat:5hxhuc7mmbcnxpwkfw4momuzlu