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Influence of hydrogen on minority carrier recombination at dislocations and sub-boundaries in GaAs
1988
Revue de Physique Appliquée
2014 Nous avons étudié par cathodoluminescence l'influence de l'hydrogène sur la recombinaison des porteurs minoritaires aux dislocations et aux sous-joints de grains dans GaAs. Ces défauts étendus ont été introduits par déformation plastique à chaud. Le caractère recombinant de ces défauts n'est pas qualitativement changé par l'hydrogène. Abstract. 2014 We have investigated by cathodoluminescence the influence of atomic hydrogen on the minority carrier recombination at dislocations and
doi:10.1051/rphysap:019880023070133700
fatcat:5hxhuc7mmbcnxpwkfw4momuzlu