Влияние имплантации ионов Ва+ на эмиссионные свойства вольфрама release_uhgy7u44tjam7im4ukhtcqec3e

Abstract

В работе с использованием методов оже-электронной спектроскопии и спектроскопииистинно-вторичных электронов (ИВЭ) изучены состав и эмиссионные свойства W, покрытого монослоем Ва и имплантированного ионами Ва+ и щелочных металлов Na+,K+ , Cs+ с энергией 0.5–8 кэВ при дозе насыщения D=Dнас=(6–8)×1016 см–2. Установлено, что при одинаковых измененияхработы выходаeφ значение коэффициента вторичнойэлектронной эмиссии (ВЭЭ) в случае ионной имплантации ~1.5 раза больше, чем вслучае адсорбции атомов Ва. Установлено, что в области малых Ер (энергия первичныхэлектронов) при высоких концентрациях Ва уровни О3, О2, О дают существенный вкладв число ИВЭ. Кроме того, наличие таких уровней увеличивает эффективность неупругоотраженных электронов (НОЭ). Анализ данных коэффициентов ВЭЭ напыленных иионно-легированных систем в случае щелочных металлов приводит к аналогичнымрезультатам.
In application/xml+jats format

Archived Files and Locations